型号:ZXMD65P02N8TA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 50 毫欧 @ 2.9A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 20nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 960pF @ 15V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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